机译:金属氧化物半导体场效应晶体管沟道中无意量子点的伪对称偏置和库仑/约束能量的正确估计
机译:N〜+多晶硅/ HfAlO_x / SiO_2 N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中HfAlO_x限制的反型层迁移率的非库仑散射成分的弱温度依赖性
机译:具有逐层自组装纳米颗粒薄膜作为沟道和栅极电介质的场效应晶体管
机译:在室温下调节超小金属纳米粒子自组装中的库仑阻滞
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于金属纳米粒子薄膜的室温库仑晶体管
机译:伪对称偏差和库仑/约束的正确估计 金属氧化物半导体沟道中无意量子点的能量 场效应晶体管
机译:具有单一势垒的纳米场效应晶体管中的单电子库仑阻塞